IXBX25N250
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 25A; 300W; PLUS247™
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXBX25N250
Référence TME:
IXBX25N250
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | BiMOSFET™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 2,5kV | |
Courant du collecteur | 25A | |
Puissance de dissipation | 300W | |
Boîtier | PLUS247™ | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 180A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 103nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 694ns | |
Temps d'extinction | 650ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |
Poids brut6.72 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors IGBT THT IXYS,
* IXBX25N250Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 47.49 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 47.49 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 44.82 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 44.82 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 43.25 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 43.25 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 39.35 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 39.35 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 35.73 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 35.73 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs