IXBX64N250
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 64A; 735W; PLUS247™
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXBX64N250
Référence TME:
IXBX64N250
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | BiMOSFET™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 2,5kV | |
Courant du collecteur | 64A | |
Puissance de dissipation | 735W | |
Boîtier | PLUS247™ | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 600A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 400nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 632ns | |
Temps d'extinction | 397ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |
Poids brut6 g
Certificates
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* IXBX64N250Nombre de pièces (Multiplication: 300)
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Prix net pour les quantités de 300 pcs - 93.86 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 93.86 USD