IXDN55N120D1
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A; SOT227B
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXDN55N120D1
Référence TME:
IXDN55N120D1
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 62A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 124A | |
Puissance de dissipation | 450W | |
La technologie | NPT | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut30 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Modules IGBT IXYS
* IXDN55N120D1Utilisez le tableau des spécifications ci-dessous, afin de trouver des produits similaires
Produit retiré de l'offre
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs