IXDN75N120
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; SOT227B
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXDN75N120
Référence TME:
IXDN75N120
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 150A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 190A | |
Puissance de dissipation | 660W | |
La technologie | NPT | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut34.72 g
Certificates
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* IXDN75N120Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 39.40 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 39.40 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs