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Fabricant	IXYS
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	30A
Puissance de dissipation	500W
Boîtier	TO263
Résistance en état de conduction	155mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	56nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	ultra junction x-class
Temps d'attente	145ns

IXFA30N60X

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns

Spécification