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IXFA4N100P

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolaire; 1kV; 4A; 150W; TO263


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFA4N100P
Référence TME:
IXFA4N100P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
4A
Puissance de dissipation
150W
Boîtier
TO263
Montage
SMD
Charge d'entrée
26nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.49 g
Certificates
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IXFA4N100P
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Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs