IXFA4N100Q
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1kV; 4A; Idm: 16A; 150W; TO263AA
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFA4N100Q
Référence TME:
IXFA4N100Q
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | HiPerFET™ | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1kV | |
Courant du drain | 4A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 16A | |
Puissance de dissipation | 150W | |
Boîtier | TO263AA | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 3Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 39nC | |
Genre de canal | enrichi | |
Temps d'attente | 250ns |
Poids brut1.51 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors SMD à canal N IXYS,
* IXFA4N100QNombre de pièces (Multiplication: 300)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 6.49 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 6.49 USD