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Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | HiPerFET™, X-Class | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 850V | |
Courant du drain | 3,5A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 10A | |
Puissance de dissipation | 150W | |
Boîtier | TO263 | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Résistance en état de conduction | 2,5Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 7nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | ultra junction x-class | |
Temps d'attente | 170ns |