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IXFA7N100P

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolaire; 1kV; 7A; 300W; TO263


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFA7N100P
Référence TME:
IXFA7N100P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
7A
Puissance de dissipation
300W
Boîtier
TO263
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
1,9Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
47nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Temps d'attente
300ns
Poids brut1.498 g
Certificates
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*
IXFA7N100P
132 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs