IXFB170N30P
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolaire; 300V; 170A; 1250W; 200ns
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFB170N30P
Référence TME:
IXFB170N30P
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 300V | |
Courant du drain | 170A | |
Puissance de dissipation | 1,25kW | |
Boîtier | PLUS264™ | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 18mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 258nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Temps d'attente | 200ns |
Poids brut10.23 g
Certificates
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 25 pcs