IXFN100N50P
Module; transistor simple; 500V; 75A; SOT227B; vissés; Idm: 250A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN100N50P
Référence TME:
IXFN100N50P
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 500V | |
Courant du drain | 75A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 49mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 250A | |
Puissance de dissipation | 1,04kW | |
La technologie | HiPerFET™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 240nC | |
Temps d'attente | 200ns | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut37.07 g
Certificates
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* IXFN100N50PNombre de pièces (Multiplication: 1)
300 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 50.80 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 50.80 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 47.60 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 47.60 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs