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IXFN100N50Q3

Module; transistor simple; 500V; 82A; SOT227B; vissés; Idm: 300A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN100N50Q3
Référence TME:
IXFN100N50Q3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
500V
Courant du drain
82A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
49mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
300A
Puissance de dissipation
960W
La technologie
HiPerFET™, Q3-Class
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
255nC
Temps d'attente
250ns
Tension entrée-source
±40V
Montage mécanique
vissés
Poids brut35.83 g
Certificates
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IXFN100N50Q3
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 57.97 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 57.97 USD
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