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IXFN102N30P

Module; transistor simple; 300V; 86A; SOT227B; vissés; Idm: 250A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN102N30P
Référence TME:
IXFN102N30P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
300V
Courant du drain
86A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
33mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
250A
Puissance de dissipation
570W
La technologie
HiPerFET™, Polar™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
224nC
Temps d'attente
200ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut36.99 g
Certificates
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IXFN102N30P
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 27.58 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 27.58 USD
Prix net pour les quantités de 2 pcs - 26.34 USDPrix brut pour les quantités de 2 pcs - 26.34 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 25.25 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 25.25 USD
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