IXFN110N60P3
Module; transistor simple; 600V; 90A; SOT227B; vissés; Idm: 275A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN110N60P3
Référence TME:
IXFN110N60P3
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 600V | |
Courant du drain | 90A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 56mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 275A | |
Puissance de dissipation | 1,5kW | |
La technologie | HiPerFET™, Polar3™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 254nC | |
Temps d'attente | 250ns | |
Tension entrée-source | ±40V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut35.71 g
Certificates
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* IXFN110N60P3Nombre de pièces (Multiplication: 100)
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Prix net pour les quantités de 100 pcs - 36.71 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 36.71 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs