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IXFN150N65X2

Module; transistor simple; 650V; 145A; SOT227B; vissés; Idm: 300A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN150N65X2
Référence TME:
IXFN150N65X2

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
650V
Courant du drain
145A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
17mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
300A
Puissance de dissipation
1,04kW
La technologie
HiPerFET™, X2-Class
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
355nC
Temps d'attente
190ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut37.32 g
Certificates
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IXFN150N65X2
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs