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IXFN210N20P

Module; transistor simple; 200V; 188A; SOT227B; vissés; Idm: 600A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN210N20P
Référence TME:
IXFN210N20P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
200V
Courant du drain
188A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
10,5mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
600A
Puissance de dissipation
1,07kW
La technologie
HiPerFET™, Polar™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
255nC
Temps d'attente
200ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut37.01 g
Certificates
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IXFN210N20P
299 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 44.82 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 44.82 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 40.91 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 40.91 USD
Prix net pour les quantités de 20 pcs - 39.28 USDPrix brut pour les quantités de 20 pcs - 39.28 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 37.03 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 37.03 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 35.27 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 35.27 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs