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IXFN210N30P3

Module; transistor simple; 300V; 192A; SOT227B; vissés; Idm: 550A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN210N30P3
Référence TME:
IXFN210N30P3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
300V
Courant du drain
192A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
14,5mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
550A
Puissance de dissipation
1,5kW
La technologie
HiPerFET™, Polar3™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
268nC
Temps d'attente
250ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut37.05 g
Certificates
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IXFN210N30P3
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Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs