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IXFN210N30X3

Module; transistor simple; 300V; 210A; SOT227B; vissés; Idm: 650A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN210N30X3
Référence TME:
IXFN210N30X3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
300V
Courant du drain
210A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
4,6mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
650A
Puissance de dissipation
695W
La technologie
HiPerFET™, X3-Class
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
375nC
Temps d'attente
190ns
Tension entrée-source
±20V
Montage mécanique
vissés
Poids brut37.14 g
Certificates
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IXFN210N30X3
12 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 48.87 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 48.87 USD
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs