IXFN26N100P
Module; transistor simple; 1kV; 23A; SOT227B; vissés; Idm: 65A; 595W
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN26N100P
Référence TME:
IXFN26N100P
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 1kV | |
Courant du drain | 23A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 390mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 65A | |
Puissance de dissipation | 595W | |
La technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 197nC | |
Temps d'attente | 300ns | |
Tension entrée-source | ±40V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut37.04 g
Certificates
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* IXFN26N100PNombre de pièces (Multiplication: 1)
6 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 41.53 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 41.53 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 36.66 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 36.66 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 32.96 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 32.96 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs