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IXFN300N10P

Module; transistor simple; 100V; 295A; SOT227B; vissés; Idm: 900A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN300N10P
Référence TME:
IXFN300N10P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
100V
Courant du drain
295A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
5,5mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
900A
Puissance de dissipation
1,07kW
La technologie
HiPerFET™, Polar™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
279nC
Temps d'attente
200ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut37.17 g
Certificates
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IXFN300N10P
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs