IXFN30N120P
Module; transistor simple; 1,2kV; 30A; SOT227B; vissés; Idm: 75A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN30N120P
Référence TME:
IXFN30N120P
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 30A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 0,35Ω | |
Courant du drain dans l'impulsion | 75A | |
Puissance de dissipation | 890W | |
La technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 310nC | |
Temps d'attente | 300ns | |
Tension entrée-source | ±40V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut36.6 g
Certificates
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* IXFN30N120PNombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 80.77 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 80.77 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 71.42 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 71.42 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 64.14 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 64.14 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs