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IXFN320N17T2

Module; transistor simple; 170V; 260A; SOT227B; vissés; Idm: 800A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN320N17T2
Référence TME:
IXFN320N17T2

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
170V
Courant du drain
260A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
5,2mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
800A
Puissance de dissipation
1,07kW
La technologie
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
640nC
Temps d'attente
150ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut36.9 g
Certificates
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IXFN320N17T2
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 57.98 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 57.98 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 51.27 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 51.27 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 46.04 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 46.04 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs