IXFN32N120P
Module; transistor simple; 1,2kV; 32A; SOT227B; vissés; Idm: 100A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN32N120P
Référence TME:
IXFN32N120P
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 32A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 0,31Ω | |
Courant du drain dans l'impulsion | 100A | |
Puissance de dissipation | 1kW | |
La technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 360nC | |
Temps d'attente | 300ns | |
Tension entrée-source | ±40V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut37.27 g
Certificates
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* IXFN32N120PNombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 93.81 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 93.81 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 82.86 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 82.86 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 74.45 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 74.45 USD
Produit difficilement accessible
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs