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IXFN360N10T

Module; transistor simple; 100V; 360A; SOT227B; vissés; Idm: 900A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN360N10T
Référence TME:
IXFN360N10T

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
100V
Courant du drain
360A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
2,6mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
900A
Puissance de dissipation
830W
La technologie
GigaMOS™, HiPerFET™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
525nC
Temps d'attente
130ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut36.9 g
Certificates
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*
IXFN360N10T
300 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 31.02 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 31.02 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 26.29 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 26.29 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 24.13 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 24.13 USD
Prix net pour les quantités de 20 pcs - 22.95 USDPrix brut pour les quantités de 20 pcs - 22.95 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 21.98 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 21.98 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcsCarton = 60 pcs