IXFN38N100P
Module; transistor simple; 1kV; 38A; SOT227B; vissés; Idm: 120A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN38N100P
Référence TME:
IXFN38N100P
Spécification
Fabricant | IXYS | ||
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | ||
Construction de semi-conducteur | transistor simple | ||
Tension drain-source | 1kV | ||
Courant du drain | 38A | ||
Boîtier | SOT227B | ||
Montage électrique | vissés | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Résistance en état de conduction | 0,21Ω | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 120A | ||
Puissance de dissipation | 1kW | ||
La technologie | HiPerFET™, Polar™ | ||
Genre de canal | enrichi | ||
Charge d'entrée | 0,35µC | ||
Temps d'attente | 300ns | ||
Tension entrée-source | ±40V | ||
Montage mécanique | vissés |
Poids brut37.24 g
Certificates
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 45.40 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 45.40 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 42.54 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 42.54 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs