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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	150V
Courant du drain	400A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	2,5mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	900A
Puissance de dissipation	695W
La technologie	HiPerFET™, X3-Class
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	365nC
Temps d'attente	132ns
Tension entrée-source	±30V
Montage mécanique	vissés

IXFN400N15X3

Module; transistor simple; 150V; 400A; SOT227B; vissés; Idm: 900A

Spécification