IXFN40N110P
Module; transistor simple; 1,1kV; 34A; SOT227B; vissés; Idm: 100A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN40N110P
Référence TME:
IXFN40N110P
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 1,1kV | |
Courant du drain | 34A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 0,26Ω | |
Courant du drain dans l'impulsion | 100A | |
Puissance de dissipation | 890W | |
La technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 310nC | |
Temps d'attente | 300ns | |
Tension entrée-source | ±40V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut35.8 g
Certificates
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* IXFN40N110PNombre de pièces (Multiplication: 1)
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