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IXFN48N60P

Module; transistor simple; 600V; 40A; SOT227B; vissés; Idm: 110A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN48N60P
Référence TME:
IXFN48N60P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
600V
Courant du drain
40A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
0,14Ω
Courant du drain dans l'impulsion
110A
Puissance de dissipation
625W
La technologie
HiPerFET™, PolarHV™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
150nC
Temps d'attente
200ns
Tension entrée-source
±40V
Montage mécanique
vissés
Poids brut36.99 g
Certificates
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IXFN48N60P
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