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En savoir plus iciFabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 75V | |
Courant du drain | 480A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 1,9mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 1,5kA | |
Puissance de dissipation | 940W | |
La technologie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 545nC | |
Temps d'attente | 150ns | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |