IXFN55N50
Module; transistor simple; 500V; 55A; SOT227B; vissés; Idm: 220A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN55N50
Référence TME:
IXFN55N50
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 500V | |
Courant du drain | 55A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 80mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 220A | |
Puissance de dissipation | 625W | |
La technologie | HiPerFET™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 330nC | |
Temps d'attente | 250ns | |
Tension entrée-source | ±40V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut36.7 g
Certificates
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* IXFN55N50Nombre de pièces (Multiplication: 300)
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Prix net pour les quantités de 300 pcs - 33.71 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 33.71 USD