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En savoir plus iciFabricant | IXYS | ||
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | ||
Construction de semi-conducteur | transistor simple | ||
Tension drain-source | 800V | ||
Courant du drain | 53A | ||
Boîtier | SOT227B | ||
Montage électrique | vissés | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Résistance en état de conduction | 0,14Ω | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 150A | ||
Puissance de dissipation | 1,04kW | ||
La technologie | HiPerFET™, Polar™ | ||
Genre de canal | enrichi | ||
Charge d'entrée | 250nC | ||
Temps d'attente | 250ns | ||
Tension entrée-source | ±30V | ||
Montage mécanique | vissés |