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IXFN60N80P

Module; transistor simple; 800V; 53A; SOT227B; vissés; Idm: 150A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN60N80P
Référence TME:
IXFN60N80P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
800V
Courant du drain
53A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
0,14Ω
Courant du drain dans l'impulsion
150A
Puissance de dissipation
1,04kW
La technologie
HiPerFET™, Polar™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
250nC
Temps d'attente
250ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut37.31 g
Certificates
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IXFN60N80P
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 45.08 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 45.08 USD
Prix net pour les quantités de 2 pcs - 43.39 USDPrix brut pour les quantités de 2 pcs - 43.39 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 41.80 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 41.80 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs