IXFN73N30
Module; transistor simple; 300V; 73A; SOT227B; vissés; Idm: 292A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN73N30
Référence TME:
IXFN73N30
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 300V | |
Courant du drain | 73A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 45mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 292A | |
Puissance de dissipation | 520W | |
La technologie | HiPerFET™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 360nC | |
Temps d'attente | 200ns | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut45.657 g
Certificates
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* IXFN73N30