IXFN82N60P
Module; transistor simple; 600V; 72A; SOT227B; vissés; Idm: 200A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN82N60P
Référence TME:
IXFN82N60P
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 600V | |
Courant du drain | 72A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 75mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 200A | |
Puissance de dissipation | 1,04kW | |
La technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 240nC | |
Temps d'attente | 200ns | |
Tension entrée-source | ±40V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut29.69 g
Certificates
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 42.18 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 42.18 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 34.57 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 34.57 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 32.39 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 32.39 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs