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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	1,7kV
Courant du drain	67A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	23mΩ
La technologie	SiC
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	376nC
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	sortie Kelvin
Montage mécanique	vissés

IXFN90N170SK

Module; transistor simple; 1,7kV; 67A; SOT227B; vissés; SiC; 376nC

Spécification