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IXFQ8N85X

Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolaire; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFQ8N85X
Référence TME:
IXFQ8N85X

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
HiPerFET™, X-Class
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
850V
Courant du drain
8A
Courant du drain dans l'impulsion
16A
Puissance de dissipation
200W
Boîtier
TO3P
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
0,85Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
17nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
ultra junction x-class
Temps d'attente
125ns
Poids brut5.257 g
Certificates
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IXFQ8N85X
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs