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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension inverse max.	1,2kV
Courant du collecteur	86A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
La technologie	X2PT
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	integrated anti-parallel diode
Montage mécanique	vissés

IXG70IF1200NA

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 86A; SOT227B

Spécification