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IXGA12N120A3

Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 12A; 100W; TO263


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGA12N120A3
Référence TME:
IXGA12N120A3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, PT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
12A
Puissance de dissipation
100W
Boîtier
TO263
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
60A
Montage
SMD
Charge d'entrée
20,4nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
202ns
Temps d'extinction
1545ns
Poids brut2 g
Certificates
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IXGA12N120A3
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