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IXGA20N120B3

Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO263


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGA20N120B3
Référence TME:
IXGA20N120B3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, PT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
20A
Puissance de dissipation
180W
Boîtier
TO263
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
80A
Montage
SMD
Charge d'entrée
51nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
61ns
Temps d'extinction
720ns
Poids brut2 g
Certificates
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IXGA20N120B3
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