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IXGA30N120B3-TRL

Transistor: IGBT; 1,2kV; 60A; 300W; D2PAK

NOUVEAUTÉ

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGA30N120B3-TRL
Référence TME:
IXGA30N120B3-TRL

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
60A
Puissance de dissipation
300W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage
SMD
Charge d'entrée
87nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Poids brut1 g
Certificates
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IXGA30N120B3-TRL
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