IXGF25N250
Transistor: IGBT; 2,5kV; 30A; 114W; i4-pac
NOUVEAUTÉ
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXGF25N250
Référence TME:
IXGF25N250
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
Tensions collecteur-émetteur | 2,5kV | |
Courant du collecteur | 30A | |
Puissance de dissipation | 114W | |
Boîtier | i4-pac | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 75nC | |
Genre de la emballage | tube |
Poids brut1 g
Certificates
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* IXGF25N250Nombre de pièces (Multiplication: 300)
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Prix net pour les quantités de 300 pcs - 101.16 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 101.16 USD