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IXGH120N30B3

Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGH120N30B3
Référence TME:
IXGH120N30B3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, PT
Tensions collecteur-émetteur
300V
Courant du collecteur
120A
Puissance de dissipation
540W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
480A
Montage
THT
Charge d'entrée
225nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
51ns
Temps d'extinction
356ns
Poids brut6 g
Certificates
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IXGH120N30B3
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