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IXGH32N170

Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 32A; 350W; TO247-3

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGH32N170
Référence TME:
IXGH32N170

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
32A
Puissance de dissipation
350W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
Montage
THT
Charge d'entrée
155nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
90ns
Temps d'extinction
920ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut6.14 g
Certificates
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*
IXGH32N170
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 21.76 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 21.76 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 19.60 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 19.60 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs