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IXGH40N120B2D1

Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 40A; 380W; TO247-3


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGH40N120B2D1
Référence TME:
IXGH40N120B2D1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, PT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
380W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
Montage
THT
Charge d'entrée
138nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
79ns
Temps d'extinction
770ns
Poids brut6 g
Certificates
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IXGH40N120B2D1
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