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IXGH50N90B2D1

Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGH50N90B2D1
Référence TME:
IXGH50N90B2D1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, HiPerFAST™, PT
Tensions collecteur-émetteur
900V
Courant du collecteur
50A
Puissance de dissipation
400W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
Montage
THT
Charge d'entrée
135nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
48ns
Temps d'extinction
820ns
Poids brut6.135 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors IGBT THT IXYS,
*
IXGH50N90B2D1
240 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 18.30 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 18.30 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 16.45 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 16.45 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 15.30 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 15.30 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 13.63 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 13.63 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 11.51 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 11.51 USD
Prix net pour les quantités de 60 pcs - 10.77 USDPrix brut pour les quantités de 60 pcs - 10.77 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 10.34 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 10.34 USD
Prix net pour les quantités de 510 pcs - 9.80 USDPrix brut pour les quantités de 510 pcs - 9.80 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs