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IXGK100N170

Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 100A; 830W; TO264


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGK100N170
Référence TME:
IXGK100N170

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
100A
Puissance de dissipation
830W
Boîtier
TO264
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
600A
Montage
THT
Charge d'entrée
425nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
285ns
Temps d'extinction
720ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut9.795 g
Certificates
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IXGK100N170
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 59.71 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 59.71 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 44.21 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 44.21 USD
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Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 25 pcs