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IXGK75N250

Transistor: IGBT; NPT; 2,5kV; 75A; 780W; TO264


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGK75N250
Référence TME:
IXGK75N250

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT
Tensions collecteur-émetteur
2,5kV
Courant du collecteur
75A
Puissance de dissipation
780W
Boîtier
TO264
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
530A
Montage
THT
Charge d'entrée
410nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
280ns
Temps d'extinction
725ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut10 g
Certificates
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IXGK75N250
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