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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension inverse max.	0,6kV
Courant du collecteur	120A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	800A
Puissance de dissipation	595W
La technologie	GenX3™
Montage mécanique	vissés

IXGN120N60A3

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 600V; Ic: 120A; SOT227B

Spécification