IXGN200N60B3
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXGN200N60B3
Référence TME:
IXGN200N60B3
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension inverse max. | 0,6kV | |
Courant du collecteur | 200A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 1,2kA | |
Puissance de dissipation | 830W | |
La technologie | GenX3™, PT | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut37.1 g
Certificates
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* IXGN200N60B3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 45.97 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 45.97 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs