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IXGN50N120C3H1

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGN50N120C3H1
Référence TME:
IXGN50N120C3H1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
50A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
240A
Puissance de dissipation
460W
La technologie
GenX3™, PT
Montage mécanique
vissés
Poids brut37.05 g
Certificates
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IXGN50N120C3H1
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 48.88 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 48.88 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 44.02 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 44.02 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 38.94 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 38.94 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs