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IXGR32N170AH1

Transistor: IGBT; 1,7kV; 26A; 200W; TO247-3

NOUVEAUTÉ

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGR32N170AH1
Référence TME:
IXGR32N170AH1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
26A
Puissance de dissipation
200W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
Montage
THT
Charge d'entrée
155nC
Genre de la emballage
tube
Temps d'extinction
260ns
Poids brut1 g
Certificates
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IXGR32N170AH1
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